Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2005 год

1. К. А. Валиев. Квантовые компьютеры и квантовые вычисления // Успехи Физических Наук.
   2005. Т.175. №1. С.3-39
2. A. A. Kokin. The controlled indirect coupling between spatially-separated qubits in antiferromagnet-based NMR quantum register. // Proceedings. of SPIE, 2005, vol 5833, pp. 157-164.
3. Yu. I. Bogdanov et al. Preparation of arbitrary qutrit state based on biphotons// Proceedings of SPIE. 2005. V.5833. P.202-212.
4. Ю. И. Богданов, Р. Ф. Галеев, С. П. Кулик и др. Восстановление поляризационных состояний бифотонного поля // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 82. вып.3. С.180-184.
5. Ю. И. Богданов. Многопараметрические статистические модели в задачах квантовой информатики //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.91-120
6. A. Yu. Bogdanov, Yu. I. Bogdanov, K. A. Valiev. Analysis of localized Schmidt decomposition modes and of entanglement in atomic and optical quantum systems with continuous variables // LANL report quant-ph/0507042. 2005. 20p.
7. А. Ю. Богданов, Ю. И. Богданов, К. А. Валиев. Анализ мод Шмидта и запутанности в квантовых системах с непрерывными переменными //Микроэлектроника. 2006. т.35. №1. с.11-30.
8. A. V. Tsukanov. Entanglement and quantum state engineering in the optically driven two-electron double-dot structure // Phys. Rev. A. 2005. V. 72. P. 022344-022352.
9. A. V. Tsukanov, L. A. Openov. Selective electron transfer between the quantum dots under the resonant pulse // Proceedings of SPIE. 2005. V.5833. P.137-144.
10. A. Burkov, A. Damir, Yu. Ozhigov. Development of the quantum state evolution model based on the "amplitude quanta" method // Proc. SPIE, 2005, Vol. 5833, p. 282-289
11. Ю. И. Ожигов. Кванты амплитуд в моделировании многочастичных квантовых систем // Микроэлектроника, 2005 (принято к печати)
12. К. А. Валиев, А. А. Кокин. Проблемы реализации полномасштабного квантового компьютера на ядерных спинах в кремниевой наноструктуре //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.19-36
13. А. В. Цуканов. Оптическое управление орбитальными и спиновыми состояниями электронов в квантовых точках //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.37-48
14. K. A. Valiev. Review of quantum informatics: results and perspectives// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O1.
15. Yu. I. Bogdanov, R. F. Galeev et al. Statistical Reconstruction of Biphoton Polarization States// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O11
16. Y. I. Ozhigov, I. N. Semenihin, A. S. Burkov, A. V. Damir. Monte-Carlo and Hartree- Fock methods in the simulation of one and two particle quantum dynamics // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O13.
17. Yu. I. Bogdanov. Quantum tomography of arbitrary spin states of particles: root approach// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O18.
18. A. A. Kokin. The antiferromagnet-based nuclear spin quantum register in inhomogeneous magnetic field. // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p.O17.
19. A. Yu. Bogdanov, Yu. I. Bogdanov, K. A. Valiev. Analysis of localized Schmidt decomposition modes and of entanglement in atomic and optical quantum systems with continuous variables // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O24.
20. A. Tsukanov // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p.O29.
21. V. Vyurkov, I. Semenikhin, L. Fedichkin and A. Khomyakov. Effect of image forces on a charge qubit operation// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O28.

Публикации лаборатории МССП за 2005 г.

1. А. Г. Васильев, А. Е. Рогожин, И. А. Хорин. «Формирование тонких пленок материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и их свойства»// Тезисы 54-ой научно-технической конференции МИРЭА, 16-25 мая 2005 г.
2. А. Г. Васильев, А. Е. Рогожин, И. А. Хорин. «Моделирование вертикального транзистора с управляемой глубиной канала»// Тезисы 54-ой научно-технической конференции МИРЭА, 16-25 мая 2005 г.
3. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. E. Rogozhin, A. G. Vasiliev. Simulation of the Vertical MOSFET with Electrically Variable Source-Drain Junctions// The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2005” (ICMNE-2005), Zvenigorod, Moscow, P1-48.
4. I. A. Horin, A. D. Krivospitsky, A. A. Orlikovsky, A. E. Rogozhin, A. G. Vasiliev. Silicide/high-k dielectric structures for nanotransistor gates// The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2005” (ICMNE-2005), Zvenigorod, Moscow, P2-02.
5. К. А. Валиев, А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Современные системы металлизации и их эволюция для нанотранзисторной электроники// Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. Ред. А.А. Орликовский. М.: Наука. 2005 (Тр. ФТИАН: Т. 18). С. 357-378.
6. А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин, Ю. В. Чебакова. Разработка технологических маршрутов создания нанотранзисторов с длиной затвора 100 нм. – Труды ФТИАН, 2005, том 18, с. 345-356
7. P. B. Mozhaev, I. M. Kotelyanskii, V. A. Luzanov, J. E. Mozhaeva, T. Donchev, E. Mateev, T. Nurgaliev, I. K. Bdikin, B. Zh. Narymbetov. Morphology, structure, and electrical properties of YBa2Cu3Ox thin films on tilted NdGaO3 substrates, deposited by DC-sputtering, Physica C, v. 419, iss. 1-2, pp. 53-60 (2005).
8. T. Nurgaliev, T. Donchev, E. Mateev, S. Miteva, P. B. Mozhaev, J. E. Mozhaeva. Properties of HTS YBCO thin films deposited on tilted NdGaO3 substrates, Physica C: Superconductivity and its Applications, v. 420, iss. 1-2, pp. 61-67 (2005).
9. P. B. Mozhaev, J. E. Mozhaeva, I. K. Bdikin, I. M. Kotelyanskii, V. A. Luzanov, J. B. Hansen, C. S. Jacobsen, A. L. Kholkin. "Bi-epitaxial thin films of high-temperature superconductor YBa2Cu3Ox for quantum bit fabrication", in Trudy FTIAN (Proc.Inst.Phys.Technol.), Vol. 18: Quantum computers, miсro- and nanoelectronics: physics, technology, diagnostics and modeling/ Ed. A.A. Orlikovsky. - Moscow, NAUKA 2005, pp. 78-90.
10. T. Nurgaliev, B. Blagoev, J. E. Mozhaeva, P. B. Mozhaev, S. Miteva, E. Mateev, T. Donchev, V. Strbik, S. Benacka. “Electrical characteristics of HTS YBCO films in superconductor-ferromagnetic structures deposited on LaAlO3 and NdGaO3 substrates”, (Presented at 5-th Workshop on Nanoscience&Nanotechnology, Sofia, Bulgaria), Nanoscience & nanotechnology, v. 5, eds. E. Balabanova, I. Dragieva, Heron Press, Sofia, pp. 91-93 (2005).
11. I. K. Bdikin, P. B. Mozhaev, Yu. E. Mozhaeva, G. A. Ovsyannikov, P. V. Komissinski, I. M. Kotelyanskii, A. L. Kholkin. Twinning and Domain structure of Epitaxial YBa2Cu3Ox Films studies by X-ray Diffraction Methods, Journal of Crystal Growth 275, N1-2, 2475-2480, 2005.
12. S. Zhgoon, A. Barinov. O. Shteynberg, P. Mozhaev. Small RF Filters Made with Thin-Film High Temperature Superconductors, Proceedings of EFTF 2005, Besancon, March 2005. – In print.
13. P. B. Mozhaev, J. E. Mozhaeva, C. S. Jacobsen, J. Bindslev Hansen, I. K. Bdikin, V. A. Luzanov, I. M. Kotelyanskii, S. G. Zybtsev. Bi-epitaxial YBa2Cu3Ox Thin Films on Tilted-axes NdGaO3 Substrates with CeO2 Seeding Layer, Proceedings of EUCAS'05, to be published in IOP Conf Series.
14. P. B. Mozhaev, J. E. Mozhaeva, I. K. Bdikin, I. M. Kotelyanskii, V. A. Luzanov, S. G. Zybtsev, J. Bindslev Hansen, C. S. Jacobsen. Out-of-plane tilted Josephson junctions of bi-epitaxial YBa2Cu3Ox thin films on tilted-axes NdGaO3 substrates with CeO2 seeding layer, Proceedings of WWS'05, to be published in Physica C.
15. V. V. V’yurkov, S. D. Ananiev, and V. F. Lukichev. Strong Influence of Surface Scattering on the Electron Transport through Magnetic Multilayers. Russian Microelectronics, 2005, V. 34, N 6, to be published.
16. S. Ananiev, V. Vyurkov, V. Lukichev. Surface scattering in SOI field-effect transistor. Proc. SPIE, to be published.
17. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов с учетом квантовых эффектов. Труды ФТИАН, т. 19, с. 327-344, Из-во Наука, 2005.
18. С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, В. Ф. Лукичев. Влияние шероховатости поверхности на проводимость слоистых магнитных структур. Труды ФТИАН, т. 18, с. 398-403, Из-во Наука, 2005.
19. В. В. Вьюрков, А. А. Ветров, А. А. Орликовский. Методы измерения состояния одиночного спина. Труды ФТИАН, т. 19, с. 49-59, Из-во Наука, 2005.
20. V. Vyurkov, L. Gorelik, and A. Orlikovsky. Measurement of a spin qubit array with a quantum wire. Int. Symposium “Quantum Informatics’2005”, Moscow, 3d-7th Oct., 2005, Book of Abstracts, P. O27.
21. V. Vyurkov, I. Semenikhin, L. Fedichkin, and A. Khomyakov. Effect of image forces on a charge qubit operation. Int. Symposium “Quantum Informatics’2005”, Moscow, 3d-7th Oct., 2005, Book of Abstracts, P. O28.
22. S. Ananiev, V. Vyurkov, V. Lukichev. Surface scattering in SOI field-effect transistor. Int. Conf. Micro- and Nanoelectronics- IСMNE'2005, Zvenigorod, Russia, Oct. 2005, Abstracts, P. P1-08.
23. V. Vyurkov, A. Sidorov, and A. Orlikovsky. Quantum simulation of a silicon field-effect transistor. Int. Conf. Micro- and Nanoelectronics- IСMNE'2005, Zvenigorod, Russia, Oct. 2005, Abstracts, P. О1-06.
24. V. Vyurkov and L. Gorelik. Localization of an electron and spin blockade in quantum constriction in a two-dimensional electron gas. VII Russian Conf. on Physics of Semiconductors. Sept. 2005, Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts.
25. V. V. Vyurkov. Absolute negative conductivity of a classical two-dimensional electron gas subjected to magnetic and microwave field. VII Russian Conf. on Physics of Semiconductors. Sept. 2005, Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts.
26. A. Miakonkikh, K. Rudenko. Measurement of polymerizing fluorocarbon plasma parameters: Dynamic Langmuir Probe technique application. Proc. SPIE, 2005. Int. Conference “Micro- and nanoelectronics 2005” (in press.)
27. К. Rudenko, S. Averkin, V. Lukichev, A. Orlikovsky, A. Pustovit, A. Vyatkin. Ultra Shallow p+-n Junctions in Si Produced by Plasma Immersion Ion Implantation. Proc. SPIE, 2005. Int. Conference “Micro- and nanoelectronics 2005” (in press.)
28. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, С. Н. Аверкин. Прецизионные плазмохимические процессы микроэлектроники на базе серии пилотных установок с масштабируемым ICP-источником плазмы. Химия высоких энергий, т.40, №2, с. 1-13 (2006) (в печати).
29. С. Н.Аверкин, К. А. Валиев, А. В. Мяконьких, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, И. А. Тюрин, А. В. Фадеев, А. Е. Юрков. Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии плазменных установок для микро- и нанотехнологий. Труды ФТИАН, т. 18, с. 121-137, Из-во Наука, 2005.
30. К. В. Руденко, А. В. Фадеев, А. А. Орликовский. Малоракурсная 2d-томография пространственных неоднородностей плазмы в технологических реакторах микроэлектроники. Труды ФТИАН, т. 18, с. 208-218, Из-во Наука, 2005.
31. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Зондовая диагностика боросодержащей плазмы ВЧ- и СВЧ-источников для процессов плазменно иммерсионной ионной имплантации. Труды ФТИАН, т. 18, с. 189-207, Из-во Наука, 2005.
32. К. А. Валиев, В. Ф. Лукичев, А. А. Орликовский. Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы. Нанотехнологии и материалы, 2005, №1, с.17-29.
33. Y. N. Sukhanov, A. P. Ershov, K. V. Rudenko, A. A. Orlikovsky. On the parameters of inductively coupled and microwave BF3 plasmas used for plasma immersion ion implantation, Plasma Process. Polym., 2, 472-479, 2005

Общий список публикаций лаборатории ММФТПМ в 2005 году

1. К. А. Валиев, В. В. Ивин, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе. "Использование математического моделировангия фотолитографических процессов: от субполмикронных к нанометровым размерам". Труды ФТИАН, 2005, т.18, с.219-240.
2. К. А. Валиев, В. В. Ивин, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе."Некоторые аспекты математического моделирования процессов электронной литографии". Труды ФТИАН, 2005, т.18, с.241-255.
3. К. А. Валиев, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе, К. П. Новоселов. "Атомистическое моделирование процессов осаждения". Труды ФТИАН, 2005, т.18, с.256-278.
4. К. А. Валиев, Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе. "Некоторые вопросы прочности и разрушения компонент микро- и субмикроэлектроники". Труды ФТИАН, 2005, т.18, с.379-397.
5. Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. Влияние дислокаций на критерий роста трещин по границе соединения деформируемых материалов // Известия РАН, сер. Механика твердого тела (принята к печати).
6. Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. Термодинамический подход к оценке влияния дефектов на характеристики адгезионной прочности// Математическое моделирование систем и процессов. Пермь, 2005. № 13, С.15-28.