Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Журнал "Микроэлектроника"



Микроэлектроника
ISSN (PRINT): 0544-1269
Импакт-фактор (РИНЦ): 0,824

Russian Microelectronics
ISSN PRINT: 1063-7397
ISSN ONLINE: 1608-3415

Наименование английской версии журнала: Russian Microelectronics

Описание
Журнал Микроэлектроника основан в 1972 г. Он посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и полупроводниковые приборы, квантовые биты (кубиты). Рассматриваются проблемы анализа и синтеза электронных схем на биполярных и полевых транзисторах, в частности КМОП- и БиКМОП-схем. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.

Адрес редакции:
117218 Москва, Нахимовский проспект, 34, ФТИАН

Контакты редакции:
Пономарева Людмила Георгиевна
факс: 499/ 125-38-26
Е-mail: ponomareval@mail.ru


С правилами направления, рецензирования и опубликования научных статей можно ознакомиться здесь: http://sciencejournals.ru/journal/mikelek/
http://pleiades.online/en/journal/micelec/authors-instructions/


Главный редактор:

Красников Геннадий Яковлевич
(академик РАН, д.т.н., генеральный директор, Акционерное Общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»)

Заместители главного редактора:

Лукичев Владимир Федорович
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН»)

Неизвестный Игорь Георгиевич
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н, советник РАН, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова»)

Ответственный секретарь:

Руденко Константин Васильевич (д.ф.-м.н., зам. директора, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН»)

Члены редколлегии:

Абрамов Игорь Иванович
(д.ф.-м.н., профессор кафедры микро- и наноэлектроники, Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники)

Бакланов Михаил Родионович
(д.х.н., профессор, Microelectronics Department, North China University of Technology)

Бухараев Анастас Ахметович
(член-корреспондент АН Республики Татарстан, д.ф.-м.н., зав. лаб. физики и химии поверхности, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского»)

Горбацевич Александр Алексеевич (член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор, г.н.с., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН»)

Горнев Евгений Сергеевич
(д.т.н., профессор, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники")

Мальцев Петр Павлович
(д.т.н., научный руководитель, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН»)

Рощупкин Дмитрий Валентинович
(д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»)

Сигов Александр Сергеевич
(академик РАН, д.ф.-м.н., профессор, президент, Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования «Московский технологический университет»)

Стриханов Михаил Николаевич
(академик РАО, д.ф.-м.н., профессор, ректор, Федеральное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»»)

Сурис Роберт Арнольдович
(академик РАН, д.ф.-м.н, профессор, зав. лабораторией, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН»)

Чаплыгин Юрий Александрович
(академик РАН, д.т.н, профессор, президент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»)

Шахнов Вадим Анатольевич
(член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Проектирование и технология производства электронной аппаратуры», Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э. Баумана)

Cтефан Шульц/Stefan E. Schulz
профессор, Д-р, зам.директора, Институт электронных наносистем, Фраунгофер, ENAS, Хемниц, Германия / Prof. Dr.. Deputy Director of Fraunhofer Institute for Electronic Nano Systems)

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 25.06.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. А. Абдуллаев
(РТУ МИРЭА)

Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе

 28.05.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

К. В. Егоров
(МФТИ (ГУ))

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

 16.05.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. М. Акулин.
(Университет Орсе)

Нелинейное взаимодействие двух оптических фотонов через коллективную моду прозрачного сверхпроводника

 16.04.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке

 11.04.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Томография квантовых процессов с неидеальными измерениями

 19.02.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)

Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии

 07.02.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. Беседин
(МИСиС)

Реализация и исследование двухкубитных вентилей на сверхпроводниковых структурах

 24.01.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Семенихин
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Квантовомеханическое моделирование нанотранзистора

 13.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Борщевская
(МГУ)

Многофотонные неклассические состояния света
(по материалам научно-квалификационной работы)

 06.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Р. С. Щуцкий
(Сколтех)

Классическая симуляция квантовых программ

 29.11.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, НИУ МИЭТ)

Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
(по материалам кандидатской диссертации)

 27.11.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением

 23.10.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. В. Баранов
(АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))

Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 28.06.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. Б. Квасный
(МИФИ, ФТИАН)

Адаптивная высокоточная томография зашумленных квантовых состояний
(по материалам магистерской работы)

 19.06.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

И. В. Черноусов
(МФТИ (ГУ))

Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2019 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования