Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Диссертационный совет | Библиотека | Разработки | Публикации | Семинары | Контакты

Установка глубокого анизотропного
плазмохимического травления
для создания элементов МЭМС и НЭМС

Установка плазмохимического травления

  • Тип источника плазмы: плоский ICP
  • Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт
  • Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц)
  • Диаметр пластины: 150, 200 мм
  • Рабочие давления: 0,5-50 мТор
  • Система подачи газов: 4 канала, 0-200 Sccm
  • Газы: F-, Cl- содержащие, O2, H2, Ar
  • Плотность плазмы: до 3*1012 см-3
  • Температура электронов: < 4 эВ (Ar)
  • Неравномерность плазмы: < 2% на ø 200 мм
  • Скорость травления: до 6 мкм/мин (Si) и до 0,8 мкм/мин (SiO2)
  • Полная автоматизация процесса с управлением от персонального компьютера

Плазменное анизотропное травление кремния для изделий микромеханики

Фрагмент микромеханического устройства в сечении и плане кристала  
Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»

Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»


 25.01.2012 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Х. Л. Хванг
(Национальный университет Тайваня Синь Хуа)

From Innovations to Incubations: Taiwan's story on solar cells and LED
(Профессор Х. Л. Хванг - руководитель центра нанотехнологий и МЭМС национального университета Тайваня Синь Хуа, президент Азиатско-Тихоокеанской Академии Материалов.)

 23.01.2012 - 13:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С. А. Кривелевич
(Ярославский филиал ФТИАН)

Неравновесные фазовые переходы, волны и структуры, индуцированные ионным облучением твердого тела и другими видами лучевых и термических обработок
(по материалам докторской диссертации)

 12.12.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

В. Е. Архинчеев
(Бурятский научный центр СО РАН , Улан-Удэ)

Особенности транспортных явлений в классических и квантовых неупорядоченных системах

 08.12.2011 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН)

NV-центры в алмазе. Часть IV: алмазная фотоника, схема квантового регистра и двухкубитная оптическая операция CZ

 21.11.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

И.П. Казаков
(Физический институт им П.Н. Лебедева РАН (ФИАН))

Туннельно-резонансные гетероструктуры на основе арсенида галлия
(По материалам диссертации на соискание степени доктора физико-математических наук)

 17.11.2011 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. П. Шауро
(Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН)

Теория управления состояниями квадрупольных ядер с целью выполнения квантовых вычислений (по материалам кандидатской диссертации)

 14.11.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С. И. Зайцев
(ИПТМ РАН, Черноголовка)

Создание суб-10нм стереолитографии с использованием фокусированных ионных пучков

 03.11.2011 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов, И. Ю. Катеев
(ФТИАН)

Квантовые операции на зарядовых кубитах с электростатическим управлением в полупроводниковых резонаторах

 20.10.2011 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. И. Власов
(ИОФАН)

Синтез и люминесцентные свойства алмазов, содержащих центры окраски.


К. Г. Катамадзе
(ФТИАН)

Методы управления квантовыми состояниями на основе NV- центров в алмазе (Часть 2)

 17.10.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

M. Zanuccoli
(ARCES-DEIS University of Bologna and IUNET, Cesena, Italy)

Modeling and simulation of advanced crystalline and amorphous silicon solar cells

 10.10.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

A. Satou
(Tohoku University, Sendai, Japan)

Graphene-Based Terahertz Lasers

 03.10.2011 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. Н. Магунов, А. О. Захаров, Б.А. Лапшинов
(НИИ перспективных материалов и технологий, Москва)

Температурная динамика при лазерном нагревании монокристаллов кремния в диапазоне температур 1100-1800 С


Ю. А. Матвеев
(НИЯУ МИФИ, Москва)

Электронные и электрофизические свойства границ раздела ме-талл/диэлектрик (металл=Au, Ni, Al, Fe, Gd, диэлектрик=HfO2, LaAlO3, Al2O3)
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 29.09.2011 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

К. Г. Катамадзе
(ФТИАН)

Методы управления квантовыми состояниями на основе NV- центров в алмазе (Часть 1)


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2012 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования