Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2004 год

1. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, П. Г. Медведев, В. И. Пустовойт. О предельной разрешающей способности аподизированных дифракционных фильтров. Микросистемная техника, 2004, N3, с.17-20;
2. А. М. Афанасьев, В. И. Пустовойт, Ю. В. Гуляев. Деструктивная макроинтерференция как метод повышения спектрального разрешения дифракционных фильтров. Радиотехника и электроника, 2004 (в печати).
3. K. A. Valiev, А. А. Kokin. Ensamble silicon-based NMR quantum computers, c.203-223. В книге «Актуальные проблемы физики конденсированных сред. Казань, ЗАО «Новое знание», 2004.
4. A. A. Kokin. The controlled interaction between separated qubits in NMR quantum register. Proc. of SPIE, 5833 (in press), e-print cond-mat/0411083.
5. А. А. Кокин. Твердотельные квантовые компьютеры на ядерных спинах. -Москва-Ижевск, ИКК, 2004,204 стр. Монография;
6. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. "Теоретическое рассмотрение вопросов выбора оптимальной формы источника в оптической нанолитографии". Микроэлектроника, 2004, т.33, N3, с.163-174.
7. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. "Анализ практических применений внеосевых источников в оптической нанолитографии". Микроэлектроника, 2004, т.33, N4,. с.259-272.
8. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
9. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
10. M. A. Chuev, A. M. Afanas'ev, R. M. Imamov, E. Kh. Mukhamedzhanov, E. M. Pashaev, S. N. Yakunin. Structural diagnostics of quantum layers by x-ray diffraction and standing waves. Proc. SPIE 5401 (2004) 543-554.
11. A. A. Lomov, M. A. Chuev, G. B. Galiev. Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer. Proc. SPIE 5401 (2004) 590-596.
12. А. А. Ломов, М. А. Чуев, Г. В. Ганин. Параметры многослойной гетероструктуры по результатам совместного анализа кривых дифракционного отражения от разных кристаллографических плоскостей. Письма в ЖТФ, 2004, т.30, вып.10, с.89-95.
13. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
14. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
15. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
16. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.
17. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру сверхпроводников с анизотропным параметром порядка. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 120-121.
18. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру изотропных сверхпроводников с малой длиной когерентности. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 122-123.
19. И. А. Семенихин. Влияние разупорядочения на критическую температуру d – волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. //ФТТ, 2004, т. 46, вып. 10, стр.1729-1734.
20. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. Применение метода Монте-Карло для моделирования кремниевых полевых нанотранзисторов. Микроэлектроника, 2004, Т. 33. №.4 С. 243-255.
21. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский, В. А. Федирко. Учет квантовых эффектов при моделировании кремниевых полевых нанотранзисторов. Сб. Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем. Из-во МГТУ «Станкин»- ИММ РАН, Москва, 2004, вып. 7, с.123-138.
22. V. V. Vyurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Single Electron Spin Measured with a Quantum Wire.Int. Symposium “Quantum Informatics’2004”, Moscow, Oct. 5th-8th, 2004, Book of Abstracts, P.5-2.
23. С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. К вопросу о влиянии шероховатости поверхности на проводимость тонких пленок. Микроэлектроника, 2004, Т. 33, № 3, С. 198-203.
24. S. D. Ananiev, V. V. V’yurkov, and A. A. Orlikovsky. Surface scattering in thin films: wave guide strategy. Proc. SPIE, 2004, v. 5401, pp. 488-497.
25. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин. Патент РФ на изобретение №2237947 «Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом нанометровой длины».
26. I. Lapushkin, A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. A self-consistent investigation of the semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields. J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p. 4677-4684.
27. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Landau-level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2004, v. 66, 115319.
28. A. Zakharova, I. Lapushkin, S. T. Yen, K. Nilsson, K. A. Chao. Electronic structures and transport properties of broken-gap heterostructures. Recent Res. Devel. Sci. Tech. Semiconductors, 2004, v.2, p.37-72, ISBN 81-7895-137-1.
29. Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. "Влияние дефектов решетки на поверхностное натяжение границы раздела материалов". Поверхность, 2004, N8, с.93-97.
30. S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
31. С. Н. Добряков, В. В. Привезенцев. «Моделирование равновесных спектров ЭПР структуры 31P-28Si- -28Si-31P для квантового компьютера», VI Всеросс. Симп. по прикл. и пром. матем., ОП и ПМ, 10, с.115, Кисловодск, 2004.
32. S. N. Dobryakov, V. V. Privezentsev. “Computer spectra magnetic resonance of a phosphorum 31P atoms quantum pair, placed in spin-free medium of a silicon 28Si isotope”, Abstr. of the II Conf. on Quant. Inform., Moscow - Zvenigorod, 2004.