|
Библиотека
Адрес:
117218, Москва, Нахимовский проспект, д. 36/1, ком. 709
Телефон: +7 (495) 124-11-66

Доступ к зарубежным электронным журналам для сотрудников ФТИАН
Журналы American Physical Society
Журналы Institute of Physics http://journals.iop.orghttp://www.iop.org/EJ
- Journal of Physics B.
- Journal of Physics : Condensed Matter
- Journal of Physics D: Applied Physics
- Journal of Physics:Conference Series
- New Journal of Physics
- Chinese Physics Letters
- Journal of Micromehanics and Microengineering
- Nanotechnology
- Plasma Physics and Controlled Fusion
- Plasma Sources Science and Technology
- Semiconductor Science and Technology
- Superconductor Science and Technology
Журналы American Institute of Physics http://journals aip.org
Журналы American Chemical Society http://pubs.acs.org
- C hemistry of Materials
- Crystal Growth and Design
- Nonoletters
- The Journal of Physical Chemistry A.
Журналы издательства Blackwell http://www.blackwell-synergy.com
Журналы Oxford University Press http://www.oxfordjournals.org
- IEICE- Transactions on Electronics
- IEICE-Transactions on Information and Systems
Журналы The Royal Society www.journals.royalsoc.ac.uk
Журналы Royal Society of Chemistry http://www.rsc.org/Publishing
Журналы издательства Springer http://www.springerlink.com
- SpringerLink e-books - http://www.springerlink.com
- Advances in Solid State Physics
- Applied Physics A
- The European Physical Journal B
- Foundations of Physics
- Foundations of Physics Letters
- International Journal of Theoretical Physics
- Journal of Solid State Electrochemistry
- Journal of Materials Science
- Journal of Materials Science: Materials in Electronics
- Superconductivity and Novel Magnetism
Журнал "Science " http://www.sciencemag.org
Журналы издательства ."Nature Publishing Group"
Журналы издательства World Scientific Publishing
- International Journal of Modern Physics A
- International Journal of Modern Physics B
- International Journal of Modern Physics C
- International Journal of Quantum Information
- International Journal Nanoscience
- Nano
Журнал IBM Journal of Research and Development http://www.research.ibm.com/journal/rdimg.html
Публикации из архива e-Print Arhive Los Alamos National Laboratory (USA), московское зеркало - xxx.itep.ru
Научная электронная библиотека http://elibrary.ru
Доступ к электронным отечественным журналам
Журналы Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН
Журнал «Успехи физических наук»
Журнал «Нано и микросистемная техника»
Письма в ЖЭТФ
Газета «Поиск»
Библиотека по естественным наукам РАН
http://www.benran.ru
|
|

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»

Симпозиум «Квантовая информатика»
| 25.01.2012 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
Х. Л. Хванг (Национальный университет Тайваня Синь Хуа)
From Innovations to Incubations: Taiwan's story on solar cells and LED (Профессор Х. Л. Хванг - руководитель центра нанотехнологий и МЭМС национального университета Тайваня Синь Хуа, президент Азиатско-Тихоокеанской Академии Материалов.) |
| 23.01.2012 - 13:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
С. А. Кривелевич (Ярославский филиал ФТИАН)
Неравновесные фазовые переходы, волны и структуры, индуцированные ионным облучением твердого тела и другими видами лучевых и термических обработок
(по материалам докторской диссертации) |
| 12.12.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
В. Е. Архинчеев (Бурятский научный центр СО РАН , Улан-Удэ)
Особенности транспортных явлений в классических и квантовых неупорядоченных системах |
| 08.12.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Квантовые компьютеры» (конференц-зал ФТИАН)
А. В. Цуканов (ФТИАН)
NV-центры в алмазе. Часть IV: алмазная фотоника, схема квантового регистра и двухкубитная оптическая операция CZ |
| 21.11.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
И.П. Казаков (Физический институт им П.Н. Лебедева РАН (ФИАН))
Туннельно-резонансные гетероструктуры на основе арсенида галлия (По материалам диссертации на соискание степени доктора физико-математических наук) |
| 17.11.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Квантовые компьютеры» (конференц-зал ФТИАН)
В. П. Шауро (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН)
Теория управления состояниями квадрупольных ядер с целью выполнения квантовых вычислений (по материалам кандидатской диссертации) |
| 14.11.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
С. И. Зайцев (ИПТМ РАН, Черноголовка)
Создание суб-10нм стереолитографии с использованием фокусированных ионных пучков |
| 03.11.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Квантовые компьютеры» (конференц-зал ФТИАН)
А. В. Цуканов, И. Ю. Катеев (ФТИАН)
Квантовые операции на зарядовых кубитах с электростатическим управлением в полупроводниковых резонаторах |
| 20.10.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Квантовые компьютеры» (конференц-зал ФТИАН)
И. И. Власов (ИОФАН)
Синтез и люминесцентные свойства алмазов, содержащих центры окраски.
|
К. Г. Катамадзе (ФТИАН)
Методы управления квантовыми состояниями на основе NV- центров в алмазе (Часть 2) |
| 17.10.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
M. Zanuccoli (ARCES-DEIS University of Bologna and IUNET, Cesena, Italy)
Modeling and simulation of advanced crystalline and amorphous silicon solar cells |
| 10.10.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
A. Satou (Tohoku University, Sendai, Japan)
Graphene-Based Terahertz Lasers |
| 03.10.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» (конференц-зал ФТИАН)
А. Н. Магунов, А. О. Захаров, Б.А. Лапшинов (НИИ перспективных материалов и технологий, Москва)
Температурная динамика при лазерном нагревании монокристаллов кремния в диапазоне температур 1100-1800 С |
Ю. А. Матвеев (НИЯУ МИФИ, Москва)
Электронные и электрофизические свойства границ раздела ме-талл/диэлектрик (металл=Au, Ni, Al, Fe, Gd, диэлектрик=HfO2, LaAlO3, Al2O3) (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
| 29.09.2011 - 15:00 |  |
Научный семинар «Квантовые компьютеры» (конференц-зал ФТИАН)
К. Г. Катамадзе (ФТИАН)
Методы управления квантовыми состояниями на основе NV- центров в алмазе (Часть 1) |
Архив семинаров
|
| |