НОВОСТИ
«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.
Сотрудники лаборатории физики квантовых компьютеров ФТИАН им К.А. Валиева приняли участие в работе форума «Россия» на ВДНХ. В зале «Десятилетие науки и технологий» для студенческой
L Международная молодёжная научная конференция «Гагаринские чтения»
МАИ приглашает молодых учёных в возрасте до 27 лет (включительно) принять участие в юбилейной L Международной молодёжной научной конференции «Гагаринские чтения», которая пройдёт 9-12 апреля 2024 года.
Конкурс на замещение должности главного научного сотрудника
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности: – главного научного сотрудника, д/н по
СЕМИНАРЫ
Темные состояния и квантовые эффекты в контексте исследования конечномерных моделей
2 апреля (вторник) 2024 в 15-00 Темные состояния и квантовые эффекты в контексте исследования конечномерных моделей Докладчик: Кулагин Алексей Владимирович (МГУ им. М.В. Ломоносова)
Краткий обзор технологии нейронов и анализ использования схемотехнических решений в мемристорных кроссбарах
26 марта (вторник) 2024 в 15-00 Краткий обзор технологии нейронов и анализ использования схемотехнических решений в мемристорных кроссбарах Докладчик: Токарев Арсений Андреевич (МИРЭА)
Разработка вычислительных методов и алгоритмов для анализа и моделирования классических и квантовых систем
12 марта (вторник) 2024 в 15:00 Разработка вычислительных методов и алгоритмов для анализа и моделирования классических и квантовых систем Докладчик: Д.В. Фастовец (ФТИАН им.
Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.
ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ
2021
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,
2020
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene
2019
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2
2018
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,
ИННОВАЦИИ
Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения
Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства
Валиев Камиль Ахметович
Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.
Орликовский Александр Александрович
Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
Владимир Федорович Лукичев
В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».
Руденко Константин Васильевич
Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.
Хорин Иван Анатольевич
Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.
Родненкова Ольга Николаевна
Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.